研究制备了基于U形漏电极的大开口率OLET显示器件

中国科学院化学研究所有机固体实验室董焕丽课题组在 OLET核心高迁移率发光有机半导体材料的制备方面取得了进展。

中国科学院消息显示，科研人员针对传统垂直 OLET 器件工艺复杂，且稳定性差和平面 OLET 器件线状发光形态导致的开口率低等问题，提出了新型平面型面光源出射 OLET 器件结构。

据介绍，在该器件结构中，在发光单元和传输层之间引入一层电荷调控缓冲层，有效调控了漏极发光层下的电流分布，对于面光源出射起到重要作用仿真模拟表明，在平面型 OFET 器件中引入 CTB 电荷传输层，改变了传统平面 OFET 器件中的横向电场分布，进而提升了漏电极下的电荷分布均匀性，这一现象通过设计劈裂电极器件结构得到了很好的证实

值得一提的是，基于这种器件结构，研究引入合适的发光层，制备出 RGB 三基色的平面型面光源 OLET 显示器件基元，其表现出良好的栅极调控能力及不受栅压影响的面光源发光形态进一步源于该器件结构的灵活设计性，研究制备了基于 U 形漏电极的大开口率 OLET 显示器件同时，作为一种独特的电压驱动显示器件，其易实现饱和工作区，因而表现出独立于源漏电压的良好稳定性

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